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    YS/T 679-2018 非本征半導體中少數載流子擴散長度的測試 表面光電壓法

    標準編號:YS/T 679-2018
    標準名稱:非本征半導體中少數載流子擴散長度的測試 表面光電壓法
    英文名稱:Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors. Surface photovoltage method
    發布部門:中華人民共和國工業和信息化部
    起草單位:有研半導體材料有限公司、瑟米萊伯貿易(上海)有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞亂科技股份有限公司、南京國盛電子有限公司、天津市環歐半導體材料技術有限公司
    標準狀態:現行
    發布日期:2018-10-22
    實施日期:2019-04-01
    標準格式:PDF
    內容簡介
    本標準規定了非本征半導體材料中少數載流子擴散長度的測試方法,包含穩態光電壓法、恒定光通量法和數字示波器記錄法。
    本標準適用于非本征半導體材料,如硅單晶片或相同導電類型重摻襯底上沉積的、已知電阻率的同質外延層中的少數載流子擴散長度的測試,測試樣品(外延層)的厚度大于擴散長度的4倍。
    本標準可測試樣品的電阻率和載流子壽命的極限尚未確定,但已對電阻率0.1Ω·cm~50Ω·cm、載流子壽命短至2ns的P型和N型硅樣品進行了測試。
    本標準還可通過測試擴散長度后計算出硅中的鐵含量。
    本標準也可用于測試其他半導體材料,如砷化鎵樣品(需同時調整相應的光照波長(能量)范圍和樣品制備工藝)等的有效擴散長度,評價晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品中的有效擴散長度,還可用于測試硅片潔凈區寬度,以及太陽能電池和其他光學器件的有效擴散長度。
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